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2018年窒化物半導体国際ワークショップ (IWN 2018)#

2018年窒化物半導体国際ワークショップ (IWN 2018)
日時:2018年11月11-16日 
会場:石川県立音楽堂、ANAクラウンプラザホテル金沢、もてなしドーム(金沢市)

詳細は2018年窒化物半導体国際ワークショップホームページをご確認ください。

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窒化物半導体の結晶成長・評価/理論・光デバイス・電子デバイスに関する国際会議、2018年窒化物半導体国際ワークショップにおいて、フラウンホーファーIAF(応用固体物理研究所)の研究者が講演を行います。

 

Photodetectors
November 13 (Tue), 8:30-10:25, Room Zuiun

9:40-9:55 ImpactionizationofelectronsandholesinhighAl-contentAlGaN-basedavalanche photodiodes
Lars Hahn, Thorsten Passow, Lutz Kirste, Frank Rutz, Rachid Driad, Stefano Leone, Robert Rehm, and Oliver Ambacher
FraunhoferInsitute for Applied Solidstate Physics IAF, Germany

RF Devices
November 13 (Tue), 10:55-12:45, Room Ohtori

11:20 - 11:45 IAF GaN-technology development towards 100 GHz and beyond
Peter Brueckner, Sebastian Krause, Maciej Cwiklinski, Michael Dammann, and Ruediger Quay
FraunhoferInstitute for Applied Solid State Physics IAF, Germany

Growth for HEMTs
November 15 (Thu), 10:55-12:55, Room Zuiun

11:10-11:25 Investigation of growth parameters for (Sc,AI)N-barrier HEMT structures by plasma-assisted MBE
Kathrin Frei (Materials Research Center Freiburg, University of Freiburg), Lutz Kirste (Fraunhofer IAF), Mario Prescher (Fraunhofer IAF), Sebastian Schütt (Fraunhofer IAF), Rolf Aidam (Fraunhofer IAF), Stefan Müller (Fraunhofer IAF), Adrian Vogt (Materials Research Center Freiburg, University of Freiburg), Oliver Ambacher (Fraunhofer IAF, Department of Sustainable Systems Engineering, University of Freiburg) and Michael Fiederle (Materials Research Center Freiburg, University of Freiburg)

 

他に、フラウンホーファーIISB(集積システム・デバイス技術研究所)とフラウンホーファーIAF(応用固体物理研究所)によるポスターセッションへの参加もございます。

 

詳細は、2018年窒化物半導体国際ワークショップのプログラムをご覧ください。