イベント

NEPCON Japan 2025

日時:2024年1月22日(水)-24日(金) 10:00-17:00

会場:東京ビッグサイト
入場料:無料(公式サイトより要事前登録)

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フラウンホーファーIZM(信頼性・マイクロインテグレーション研究所)の埋込&基板技術のグループリーダーであるLars Böttcher 氏がSiC MOSFETに関する講演を行います。

日時:2025年1月24日(金) 12:30ー14:00

出展場所:ISP-6次世代パワーデバイスと先端パワエレモジュールの世界

講演題目:高性能パワーモジュール用SiC MOSFETの埋め込み

 

<講演内容>
パワーモジュールは、再生可能エネルギーシステムから電気自動車に至るまで、様々な電気システムの効率的で信頼性の高い動作において重要な役割を果たしている。より高い電力密度、効率の向上、熱管理の改善に対する要求から、炭化ケイ素(SiC)MOSFETが使用されるようになった。非常に低い損失でSiCの優れたスイッチング特性を利用するためには、新しいパッケージング技術の使用が必要である。MOSFETをPCB構造に組み込むことで、寄生インダクタンスの低減、放熱性の向上、スイッチング性能の向上など、数多くの利点が得られる。900V、850Aまでの埋め込み技術によるモジュール実現のためのコンセプトを紹介する。


<講演者プロフィール>
Böttcher Larsは現在ベルリンのフラウンホーファーIZMに勤務し、エンベデッド&サブストレート・テクノロジー・グループを率いている。ここで25年間働いており、先端パッケージングを専門としている。  最近のプロジェクトでは、部品埋め込みに基づくパワーエレクトロニクス・アプリケーション向け技術や、超ファインラインおよびピッチ技術をターゲットとしたパネルレベル・パッケージングに注力している。 2000年、応用科学大学(ドイツ・ベルリン)でマイクロシステム工学の学位を取得。

 

講演の詳細や申込は公式ページをご覧ください。

 

展示会に関する詳細な情報は、NEPCON Japan 2025のホームページをご確認ください。