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フラウンホーファーENAS（エレクトロ・ナノシステム研究所）は、マイクロ・ナノテクノロジーを用いたスマートシステムインテグレーションに研究の焦点を合わせ、以下のサービスを提供しています。

• MEMS/NEMSの開発、設計、試験
• ウエハレベルのMEMS/NEMSパッケージング、ウエハ接合、低温接合
• マイクロ・ナノエレクトロニクスと3D集積のための金属膜形成および配線接続システム
• 材料の開発と評価を含めた適応型印刷技術
• マイクロ・ナノシステムの信頼性とセキュリティ

仙台にあるフラウンホーファー・プロジェクトセンターは、東北大学とフラウンホーファーENASの共通研究開発基盤として設立され、研究開発協力、技術移転および研究者、技術者の育成を通して双方の目的を達成するために活動しています。

• 3D集積技術とその応用
   フラウンホーファーENASは200 mm までの基板向けのCVDおよびECDによるTiN, TaNおよび銅のTSV形成を行っています。ウエハ薄化にはSi, SiO2, ガラスおよびセラミックの粗研削と精研削やスピン・エッチングを使用しています。また、Si, SiO2, ガラス, セラミック, 金属および窒化物基板の平坦化も行っているほか、異なるウエハ接合技術も提供しています。

• 低温接合
  フラウンホーファーENASでは以下の低温接合技術を提供しています。
  - 反応性ナノ多層構造を用いた常温接合
  - 陽極接合（ガラス/Si）
  - 直接接合（ガラス/ガラス、ガラス/Si、Si/Si）
  - 接着接合（SU-8; BCB）
  - 固液間拡散接合（CuSn）
  - 熱圧着接合

• マイクロデバイス用の常温付近での固液間拡散接合
  ガリウム融点付近でのガリウム/金またはガリウム/銅合金の形成を、常温付近での半導体の金属相互拡散接合に応用しています。
  電着により均一な厚さのガリウム層を半導体表面に形成します。合金化過程を研究し、また形成される合金の金属間化合物組成、剪断強度、導電性、密封性を評価し、最適な加工パラメータを選択しています。また、プロセス温度に依存する界面マイクロ構造の解析も行っています。この研究は、従来にない薄膜溶融金属を用いた常温付近でのMEMS向け接合技術として成果を上げています。

• ナノ複合材
• カーボンナノチューブ（CNT）の集積とその応用

• TSV インターポーザ
• 3 次元TSV（via-middle/via-last）のプロセス統合
• 誘電体ポリマーや金属薄膜の層形成とパターニング
• 特注端子パッド（Cu, Cu/Ni/Au, Cu/SnAg）を用いた銅多層
  再配線
• ウェハ薄化と薄ウェハ加工
• ウェハバンピング (Cu 柱, SnAg, CuNiAu)
• ウェハはんだボール搭載 (100 – 500 μm)
• ウェハレベルの組立
• 多様な基板へのダイアタッチ（層形成、エポキシ、フリッ
  プチップ）
• 部品組み立て（ベアダイ、表面実装デバイスの能動および
  受動素子）
• カスタム仕様のプロトタイプ製作
• 材料、設備評価、プロセス開発、プロセス技術移管および
  製品統合