イベント

第2回IEEEワークショップ「3次元集積化のための低温接合」

日時:2010年1月19-20日
場所:東京大学・弥生講堂(東京・本郷)


次世代高密度実装や3D集積化、MEMSパッケージに特有のウエハ接合などに必須であり、またマトリックスデバイスや太陽電池などへの適用が期待されている「低温接合/常温接合」に焦点を絞った国際会議が1月19日~20日、東京大学にて開催されます。本ワークショップでは、2007年の第1回ワークショップに引き続き、その後さらに活発化している常温接合/低温ウエハ接合に基づく新デバイスの創成や欧米の3D/MEMS実装の研究開発の最新の動向を把握、今後の研究開発の方向を議論します。

このワークショップに、フラウンホーファー研究機構からも研究者が参加し「低温接合:新メソッド」および「3D集積化」セッションにて講演を行います。奮ってご参加ください。


<プログラム> 
1月19日(火)

9:00- 登録受付

9:30-9:40
開会の辞
by Conference Chair Prof. T. Suga

<基調講演>
9:40-10:10
Surface Activated Bonding - An Overview and Cu Direct Bonding
by Tadatomo Suga, The University of Tokyo; Akitsu Shigeto, NIMS

<低温接合:基礎>
10:10-11:00
Low Temperature Bonding of Thermally Mismatched Substrates
by Shari Farrens, SUSS Micro Tec.

11:00-11:30
Low Temperature Plasma or CMP Assisted Direct Bonding
by H. Moriceau, F.Rieutord, L. Di Cioccio, P. Gueguen, S. Pocas, F. Foumel, C. Morales, CEA, LETI, MINATEC

11:30-12:00
Low Temperature Direct Oxide Bonding (ZiBond) and Direct Bond Interconnect (DBI)
by Paul Enquist, Ziptronix, Inc.

12:00-13:30 昼食

<低温接合:応用>
13:30-14:10
Wafer Level 3D Integration Enabled by Low Temperature Bonding Technology
by Ionut Radu, Mariam Sadaka, SOITEC

14:10-14:40
Low Temperature Direct Wafer Bonding Process for Back Side Illumination Image Sensors and 3D Stacking
by A. Castex, M. Broekaart, L Marinier, E. Neyret, S. Golliet, M. Haye, E. Davienne, S. Molinari, M. Martinez, S. Signamarcheix, R. Fontaniere, C. Lagahe, SOITEC

14:40-15:10
Wafer Bonding for Backside Illuminated CMOS Image Sensors Fabrication: Challenges and Promises
by Viorel Dragoi, EV Group

15:10-15:40
Low Temperature Wafer Bonding Processes and their Application to Microfabrication
by Alain Bosseboeuf, University Paris South

15:40-16:00 休憩

<低温接合:新メソッド>
16:00-16:30
Hydrophobic Wafer Bonding and Characterization of the Interface Dislocations
by Manfred Reiche, Max-Planck Institut for Mikrostrukturphysik, Halle

16:30-17:00
Status of Low Temperature Wafer Bonding Using Reactive Multilayer Films
by B. Boettge*1, M. Petzold*1, M. Wiemer*2 and J. Bagdahn*3, 1: Fraunhofer IWM; 2: Fraunhofer ENAS; 3: Fraunhofer CSP
17:00-17:30
Nanoporous Gold for Low Temperature Bonding
by Hermann Oppermann, L. Dietrich, M. Klien, H. Reichel, Fraunhofer IZM

17:30-18:00
Direct Wafer Bonding of ALD Al2O3
by T. Suni*1,3, R.L. Puurunen *1, O. Zlivaara*1, K. Henttinen*2, T. Ishida*3, H. Fujita*3, 1: VTT Technical Research Center of Finland, 2: Okmetic Oyj, 3: Institute of Industrial Science, University of Tokyo

18:30- 交流会 (レストラン「Capo Pellicano」)

1月20日(水)

<表面活性化接合:基礎と量産化技術>
9:00-9:30
Low Temperature Process for Micro-assembly of Opto-Microsystems using Surface Activated Bonding Method
by Eiji Higurashi, The University of Tokyo 

9:30-9:50
Bumpless Wafer Level Bonding for Vertical Integration MEMS
by Makoto Moriguchi, OMRON

9:50-10:10
Investigation of Adhesion in Clad Materials by SAB Method and its Application in Volume Productions
by Hironao Okayama, Toyo Kohan Co., Ltd.

10:10-10:30
Temperature Compensated LiTaO3/Sapphire SAW Devices Using Surface Activated Bonding
by M. Miura, T. Matsuda, M. Ueda, Y. Satoh*1, T. Nishizawa*2 and H. Takagi*3, 1: Fujitsu Laboratories Ltd., 2: Fujitsu Media Devices Ltd., 3: AIST

10:30-11:00
Atomic Diffusion Bonding of  Wafers with Thin Nanocrystalline Metal Films
by Takehito Shimatsu, Tohoku University

11:00-11:15 小休憩

11:15-12:00 ポスターに関するプレゼンテーション

12:00-13:30 昼食:ポスターセッション

<3次元集積化>
13:30-14:20
3D Integration and its Process
by Eric Beyne, IMEC 

14:20-14:50
Low Temperature Die-Level Bonding for 3D Packaging, 3D Stacked Integrated Circuits and 3D Silicon Interposers
by Dorota Tempel, RTI

14:50-15:20
Temporary Wafer Bonding for Wafer Thinning and Backside Processing - Key Technology for 3D System Integration
by K. Zoschke, M.J. Wolf, O. Ehrmann, H. Reichel, Fraunhofer IZM 

15:20-15:50
3D Stacking of Multiple Silicon Plates using Direct Wafer Bonding for Novel Lightweight Focusing X-Ray Optics
by R. Gunther, M. Ackermann and M. Collon, Cosine Research BV

15:50-16:10 休憩

<ウエハ接合によるレイヤートランスファー技術>
16:10-16:50
Germanium to Silicon Low Temperature Direct Bonding and Layer Transfer Using Remote Plasma Activation
by Cindy Colinge, Tyndall National Institute

16:50-17:10
Novel Low Damage and Low Temperature Direct Wafer Bonding Processes Using Buried Oxide Protection Layers for Fabricating III-V-On-Insulator on Si Structures
by M. Yokoyama*1, T. Yasuda*2, H. Takagi*2, H. Yamada*3, Y. Urabe*2, H. Ishii*2, N. Fukuhara*3, M. Hata*3, M. Sugiyama*1, Y. Nakano*1, M. Takenaka*1 and S. Takagi*1, 1: The University of Tokyo, 2: AIST, 3: Sumitomo Chemical Co. Ltd. 

17:10-17:50
Understanding Strain and Strain Relaxation during Layer Transfer and Patterning in Wafer Bonding
by Helmut Baumgart, Old Dominion University

17:50-18:00
閉会の辞
by Prof. Cindy Colinge

<申し込み>
オフィシャルサイトhttp://www.3dwb.org/ の「Registration/登録」よりお申し込みください。