イベント

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013)

日時:2013年9月29日(日)ー 10月4日(金)
会場:フェニックス・シーガイア・リゾート(宮崎)
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ICSCRM 2013において、フラウンホーファーIISB(集積システム・デバイス技術研究所)の研究者が講演します。


<プログラム>

10月1日(火)

Poster Session: ホワイエ、蘭玉(4F)

16:00 - 18:00 Impact of a High Temperature Anneal on 4H-SiC Trench Profiles

        C. T. Banzhaf、ロバート・ボッシュ (Author)
        M. Rambach、ロバート・ボッシュ
        A. Trautmann、ロバート・ボッシュ
        A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
        L. Frey、フラウンホーファーIISB、
           フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク


16:00 - 18:00 Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in
       Lateral 4H-SiC MOSFETs

        C. Strenger、フラウンホーファーIISB,
             The Wide Bandgap Semiconductor Alliance (WISEA)



10月2日(水)

Poster Session: ホワイエ、蘭玉(4F)

16:00 - 18:00 HCl Assisted Growth of Thick Epilayers for Bipolar Power Devices
        B. Kallinger、フラウンホーファーIISB


16:00 - 18:00 Influence of Diverse Post-Trench Processes on the Electrical
       Performance of Thick Bottom Oxide 4H-SiC Trench-MOS Structures

        C. T. Banzhaf、ロバート・ボッシュ (Author)
        M. Grieb、ロバート・ボッシュ
        A. Trautmann、ロバート・ボッシュ
        A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
        L. Frey、フラウンホーファーIISB

           フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク


16:00 - 18:00 Effect of Shallow n-Doping on Field Effect Mobility in p-Doped Channels
       of 4H-SiC MOSFET Transistors

        S. Noll、ロバート・ボッシュ (Author)
        M. Rambach、ロバート・ボッシュ
        M. Grieb、ロバート・ボッシュ
        D. Scholten、ロバート・ボッシュ
        A. Bauer、フラウンホーファーIISB
        L. Frey、フラウンホーファーIISB

           フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク



10月3日(木)

MOS Fundamentals: 樹葉(4F)

11:00 - 11:30 Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties
       in n-Channel 4H-SiC MOSFETs

        V. Uhnevionak、フラウンホーファーIISB、
              The Wide Bandgap Semiconductor Alliance (WISEA)


Etching & Polishing: 天瑞(4F)

15:05 - 15:25 High Quality and High Speed Cutting of 4H-SiC JFET Wafers Including
       PCM Structures by Using Thermal Laser Separation

        D. Lewke、フラウンホーファーIISB

Poster Session: ホワイエ、蘭玉(4F)

15:40 - 17:40 Comparison of Carrier Lifetime Measurements and Mapping Using
       Photoluminscence and μ-PCD

        B. Kallinger、フラウンホーファーIISB


15:40 - 17:40 Temperature and Electrical Field Dependence of Ambipolar Mobility in
       n-Doped 4H-SiC

        A. Hürner、フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク (Author)
        C. Bonse、フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク
        B. Kallinger、フラウンホーファーIISB
        H. Mitlehner、フラウンホーファーIISB
        T. Erlbacher、フラウンホーファーIISB
        V. Häublein、フラウンホーファーIISB
        A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
        L. Frey、フラウンホーファーIISB
           フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン=ニュルンベルク




イベントの詳細および申し込みについては、こちらから:
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials(英語)