フラウンホーファー日本代表部The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2013)
日時：2013年9月29日（日）ー 10月4日（金）
会場：フェニックス・シーガイア・リゾート（宮崎）
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ICSCRM 2013において、フラウンホーファーIISB（集積システム・デバイス技術研究所）の研究者が講演します。
＜プログラム＞
10月1日（火）
Poster Session: ホワイエ、蘭玉（4F）
16:00 - 18:00 Impact of a High Temperature Anneal on 4H-SiC Trench Profiles
C. T. Banzhaf、ロバート・ボッシュ (Author)
M. Rambach、ロバート・ボッシュ
A. Trautmann、ロバート・ボッシュ
A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
L. Frey、フラウンホーファーIISB、
フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク
16:00 - 18:00 Systematic Analysis of the High- and Low-Field Channel Mobility in
Lateral 4H-SiC MOSFETs
C. Strenger、フラウンホーファーIISB,
The Wide Bandgap Semiconductor Alliance (WISEA)
10月2日（水）
Poster Session: ホワイエ、蘭玉（4F）
16:00 - 18:00 HCl Assisted Growth of Thick Epilayers for Bipolar Power Devices
B. Kallinger、フラウンホーファーIISB
16:00 - 18:00 Influence of Diverse Post-Trench Processes on the Electrical
Performance of Thick Bottom Oxide 4H-SiC Trench-MOS Structures
C. T. Banzhaf、ロバート・ボッシュ (Author)
M. Grieb、ロバート・ボッシュ
A. Trautmann、ロバート・ボッシュ
A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
L. Frey、フラウンホーファーIISB、
フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク
16:00 - 18:00 Effect of Shallow n-Doping on Field Effect Mobility in p-Doped Channels
of 4H-SiC MOSFET Transistors
S. Noll、ロバート・ボッシュ (Author)
M. Rambach、ロバート・ボッシュ
M. Grieb、ロバート・ボッシュ
D. Scholten、ロバート・ボッシュ
A. Bauer、フラウンホーファーIISB
L. Frey、フラウンホーファーIISB
フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク
10月3日（木）
MOS Fundamentals: 樹葉（4F）
11:00 - 11:30 Hall Factor Calculation for the Characterization of Transport Properties
in n-Channel 4H-SiC MOSFETs
V. Uhnevionak、フラウンホーファーIISB、
The Wide Bandgap Semiconductor Alliance (WISEA)
Etching & Polishing: 天瑞（4F）
15:05 - 15:25 High Quality and High Speed Cutting of 4H-SiC JFET Wafers Including
PCM Structures by Using Thermal Laser Separation
D. Lewke、フラウンホーファーIISB
Poster Session: ホワイエ、蘭玉（4F）
15:40 - 17:40 Comparison of Carrier Lifetime Measurements and Mapping Using
Photoluminscence and μ-PCD
B. Kallinger、フラウンホーファーIISB
15:40 - 17:40 Temperature and Electrical Field Dependence of Ambipolar Mobility in
n-Doped 4H-SiC
A. Hürner、フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク (Author)
C. Bonse、フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク
B. Kallinger、フラウンホーファーIISB
H. Mitlehner、フラウンホーファーIISB
T. Erlbacher、フラウンホーファーIISB
V. Häublein、フラウンホーファーIISB
A. J. Bauer、フラウンホーファーIISB
L. Frey、フラウンホーファーIISB
フリードリヒ・アレクサンダー大学エアランゲン＝ニュルンベルク
イベントの詳細および申し込みについては、こちらから：
The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（英語）